紫外级氟化物晶体材料的研发及产业化项目

项目简介：

项目占地面积12507m2，建筑面积12507m2： 1、项目建成后，年产氟化物晶体10t；建设内容包括主体工程、储运工程、辅助工程、公用工程及环保工程。晶体生长工艺流程：真空干燥处理：在真空干燥箱内对氟化物晶体颗粒进行抽真空烘干处理，以彻底去除其水分。真空晶体炉：经过干燥的晶体颗粒投入到真空晶体炉内，密封炉门，用机械泵将炉内气压抽至真空状态，再按工艺要求调整加热功率，慢慢电加热升温熔化，熔化温度约为1250~1400摄氏度，保持温度以使晶体生长，持续时长约168~240h，待晶体毛坯长成后，停止加热，在晶体生长炉内原炉退火，静置降温约360~600h后取出； 2、项目晶体生长及降温过中设专人值班看护，生长出的晶体棒料进入粗磨工序。晶体生长原理是将晶体原料在晶体炉内加热至熔融状态，当温度下降时，材料熔体就开始结晶。项目原料熔化升温过程采用电加热，采用晶体炉循环冷却系统间接水冷保护晶体炉，防止炉温过热设备损毁，同时避免晶体炉外与空气直接接触。将生长出来的晶体棒料从晶体炉取出后以单轴压杆机进行粗磨加工，粗磨需根据产品采用旋转磨具加金刚砂的方式研磨，以去除表面不均匀部分。粗磨工序采用湿法加工，无粉尘产生，加工用水通过粗磨工序自带循环水箱简单沉淀、过滤后循环使用，随蒸发和废渣带走损耗，不外排，仅需定期清理水箱箱底废渣固废。氟化钙光学晶体生产工艺流程：①氟化钙晶体生长真空干燥处理：在真空干燥箱内对氟化物晶体颗粒进行抽真空烘干处理，以彻底去除其水分。真空晶体炉：经过干燥的晶体颗粒投入到真空晶体炉内，密封炉门，用机械泵将炉内气压抽至真空状态，再按工艺要求调整加热功率，慢慢加热升温熔化，熔化温度约为1250~1400摄氏度，保持温度以使晶体生长，持续时长约180~240h，待晶体毛坯长成后，停止加热，静置降温约24~48h后取出，项目晶体生长及降温过中设专人值班看护，生长出的晶体棒料进入下一工序。

项目进展：

项目正在办理环评手续，项目设计已完成，项目主体工程尚未施工，施工单位尚未确定。